[发明专利]一种硅片切割废料高效提纯的方法有效

专利信息
申请号: 202110244366.3 申请日: 2021-03-05
公开(公告)号: CN113044845B 公开(公告)日: 2022-11-11
发明(设计)人: 魏奎先;杨时聪;马文会;邓小聪 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 天津煜博知识产权代理事务所(普通合伙) 12246 代理人: 朱维
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明涉及一种硅片切割废料高效提纯的方法,属于硅二次资源综合利用技术领域。本发明针对现有的硅片切割废料前端预处理和提纯分段进行引起的生产效率低、易扬尘、预处理过程金属杂质二次污染和提纯过程颗粒表面二次氧化严重等实际问题,将新鲜的硅片切割浆液直接浓缩至液固比mL:g低于3:1的硅片切割废料糊,采用湿法浸出介质对硅片切割废料糊进行直接湿法化学提纯去除硅片切割废料表面的沾污金属杂质,经多次洗涤和浓缩得到4‑5N高纯硅粉糊;将4‑5N高纯硅粉糊直接造粒成型,迅速控氧干燥即得4‑5N高纯硅球团。本发明方法具有设备要求简单、流程短、产品附加值高、操作容易、适合规模化工业生产等优点。
搜索关键词: 一种 硅片 切割 废料 高效 提纯 方法
【主权项】:
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