[发明专利]一种硅片切割废料高效提纯的方法有效
| 申请号： | 202110244366.3 | 申请日： | 2021-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113044845B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 魏奎先;杨时聪;马文会;邓小聪 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 天津煜博知识产权代理事务所(普通合伙) 12246 | 代理人： | 朱维 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 切割 废料 高效 提纯 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅片切割废料高效提纯的方法，其特征在于，具体步骤如下：
（1）将新鲜的硅片切割浆液直接浓缩至液固比低于3:1得到硅片切割废料糊；所述硅片切割浆液为单晶硅棒多线切割过程中产生的新鲜的含硅粉切割废液，未经絮凝、沉降、压滤和阻燃处理；
（2）采用湿法浸出介质对步骤（1）中所得的硅片切割废料糊进行直接湿法化学提纯去除硅片切割废料表面的沾污金属杂质，经多次洗涤和浓缩得到4-5 N高纯硅粉糊；其中湿法浸出介质为硫酸、盐酸、硝酸、氢氟酸的一种或多种混合液，湿法化学提纯的浸出时间为0.5-24h，浸出温度25-90°C，湿法化学提纯的方式为单段浸出或多段浸出；湿法浸出介质与硅片切割废料糊的质量比为1-10:1；
（3）将步骤（2）中得到的4-5 N高纯硅粉糊直接造粒成型，迅速控氧干燥即得4-5 N高纯硅球团。
2.根据权利要求1所述硅片切割废料高效提纯的方法，其特征在于：浓缩方式包括但不限于纳滤、微滤、离心和自沉降，浓缩环境为大气环境或无氧环境。
3.根据权利要求1所述硅片切割废料高效提纯的方法，其特征在于：洗涤液为纯净蒸馏水。
4.根据权利要求1所述硅片切割废料高效提纯的方法，其特征在于：迅速控氧干燥的环境为惰性气氛、隔绝空气或密闭环境。
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