[发明专利]一种Al-Cu溅射靶材及其制备方法在审
| 申请号： | 202110237906.5 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113025973A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 大岩一彦;姚科科;广田二郎;中村晃;林智行;山田浩 | 申请（专利权）人： | 浙江最成半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B23B5/00;B23Q11/10 |
| 代理公司： | 成都维飞知识产权代理有限公司 51311 | 代理人： | 魏春蓉 |
| 地址： | 312035 浙江省绍兴市越城区皋埠*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请涉及材料领域，具体而言，涉及一种Al‑Cu溅射靶材及其制备方法。所述溅射靶材的纯度为99.999％以上；所述溅射靶材的粗糙度Ra≦0.4μm，且所述溅射靶材的外周部的粗糙度Ra和所述溅射靶材的中心部的粗糙度Ra的差异在±40％以内。外周部和中心部的粗糙度差异较小；能够有效抑制由于靶材表面的颗粒或凹凸造成的异常放电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 al cu 溅射 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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