[发明专利]一种Al-Cu溅射靶材及其制备方法在审
申请号: | 202110237906.5 | 申请日: | 2021-03-03 |
公开(公告)号: | CN113025973A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 大岩一彦;姚科科;广田二郎;中村晃;林智行;山田浩 | 申请(专利权)人: | 浙江最成半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;B23B5/00;B23Q11/10 |
代理公司: | 成都维飞知识产权代理有限公司 51311 | 代理人: | 魏春蓉 |
地址: | 312035 浙江省绍兴市越城区皋埠*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 al cu 溅射 及其 制备 方法 | ||
本申请涉及材料领域,具体而言,涉及一种Al‑Cu溅射靶材及其制备方法。所述溅射靶材的纯度为99.999%以上;所述溅射靶材的粗糙度Ra≦0.4μm,且所述溅射靶材的外周部的粗糙度Ra和所述溅射靶材的中心部的粗糙度Ra的差异在±40%以内。外周部和中心部的粗糙度差异较小;能够有效抑制由于靶材表面的颗粒或凹凸造成的异常放电。
技术领域
本申请涉及材料领域,具体而言,涉及一种Al-Cu溅射靶材及其制备方法。
背景技术
溅射工艺是以一定能量的粒子(离子或中性原子、分子)轰击固体表面,使固体近表面的原子或分子获得足够大的能量而最终逸出固体表面的工艺。溅射靶材在表面粗糙度、电阻值、晶粒尺寸均匀性、成分与组织均匀性、异物(氧化物)含量与尺寸、导磁率、超高密度与超细晶粒等等均具有较高的要求。
现有技术中的靶材在溅射过程中时常会发生不同程度的异常放电。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种Al-Cu溅射靶材及其制备方法,其旨在提供一种可抑制异常放电的溅射靶材。
本申请第一方面提供一种Al-Cu溅射靶材。
所述溅射靶材的纯度为99.999%以上;
所述溅射靶材的粗糙度Ra≦0.4μm,且所述溅射靶材的外周部的粗糙度Ra和所述溅射靶材的中心部的粗糙度Ra的差异在±40%以内。
在本申请的一些实施例中,所述外周部为溅射靶材从最外周起至向内15mm处的范围,所述中心部为所述溅射靶材中心起向外15mm处的范围。
在本申请的一些实施例中,溅射靶材的粗糙度Rz≦3.2μm,且所述溅射靶材的外周部的粗糙度Rz和所述溅射靶材的中心部的粗糙度Rz的差异在±40%以内。
在本申请的一些实施例中,溅射靶材的粗糙度Ra≦0.2μm,且所述溅射靶材的外周部的粗糙度Ra和所述溅射靶材的中心部的粗糙度Ra的差异在±20%以内。
在本申请的一些实施例中,所述溅射靶材为圆形靶材。
本申请还提供一种上述的Al-Cu溅射靶材的制备方法,包括:
采用车床加工得到溅射靶材。
在本申请的一些实施例中,车床加工过程中切削液为碳氢溶剂或者93vol%以上的乙醇。
在本申请的一些实施例中,所述采用车床加工得到溅射靶材的加工过程中,在溅射靶材的表面通惰性气体。
在本申请的一些实施例中,所述车床加工的条件如下:
转数为500rpm-1500rpm,进给速度为0.01mm/min-0.1mm/min,吃刀量为0.01mm-0.05mm。
在本申请的一些实施例中,所述车床加工的条件如下:
刀具与加工面的接触角度为45°以上。
本申请实施例提供的Al-Cu溅射靶材及其制备方法至少具有以下有益效果;
Al-Cu溅射靶材的纯度大于99.999%,并且车床加工后得到外周部粗糙度Ra和中心部粗糙度Ra的差异在±40%以内的溅射靶材,外周部和中心部的粗糙度差异较小,能够有效抑制由于靶材表面的颗粒或凹凸造成的异常放电。随着溅射时间的增加,溅射靶材表面的被溅射的区域逐渐扩大,粗糙部分的异常放电将持续很长时间。为了防止这种现象,需要表面粗糙均匀的靶材。本申请实施例提供的溅射靶材表面可以防止该现象。
附图说明
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