[发明专利]一种超薄晶圆的检测方法和类普通晶圆在审
| 申请号： | 202110234639.6 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113066733A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 傅郁晓;骈文胜;闻国涛;吴庆;李志成 | 申请（专利权）人： | 上海伟测半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 | 代理人： | 罗晓鹏 |
| 地址： | 200013 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开一种超薄晶圆的检测方法和类普通晶圆，其中所述超薄晶圆的检测方法包括以下步骤(S1)提供一可导电的硬质载体，用以承载待检测的超薄晶圆(S2)可电导通地贴合所述超薄晶圆于所述可导电的硬质载体所形成的承载面，以使所述可导电的硬质载体和所述超薄晶圆形成晶圆检测设备可直接检测的类普通晶圆，其中所述类普通晶圆的尺寸与普通晶圆的尺寸相同(S3)通过晶圆检测设备检测转送至所述晶圆检测设备的所述类普通晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 检测 方法 普通 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海伟测半导体科技股份有限公司，未经上海伟测半导体科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110234639.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
