[发明专利]一种超薄晶圆的检测方法和类普通晶圆

说明书

本申请公开一种超薄晶圆的检测方法和类普通晶圆，其中所述超薄晶圆的检测方法包括以下步骤(S1)提供一可导电的硬质载体，用以承载待检测的超薄晶圆(S2)可电导通地贴合所述超薄晶圆于所述可导电的硬质载体所形成的承载面，以使所述可导电的硬质载体和所述超薄晶圆形成晶圆检测设备可直接检测的类普通晶圆，其中所述类普通晶圆的尺寸与普通晶圆的尺寸相同(S3)通过晶圆检测设备检测转送至所述晶圆检测设备的所述类普通晶圆。

技术领域

本发明涉及一晶圆的检测方法，尤其涉及一种超薄晶圆的检测方法和类普通晶圆。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度较高。

随着科技的不断进步，诸多厂商都在致力于晶圆的生产、检测等程序的自动化。电子产品尺寸小型化已成为一种趋势。而电子产品中，晶圆越薄，越有利于最终电子产品尺寸的减小。

而晶圆通常是被间隔地放置在不同高度形成槽体的晶圆置放架中。晶圆的两边被支撑在置放架而晶圆的中部悬空。但是，如果晶圆太薄，将给晶圆的自动传输和感应识别带来困扰。这主要是因为，晶圆如果太薄，一旦晶圆中部下沉，则感应器在识别晶圆时，晶圆有可能会被遮挡而无法被识别，这样就会使得有些超薄晶圆无法被机器取出进行检测。

另外一方面，由于晶圆在被检测和分装时都需要在不同的位置之间传送，如果晶圆太薄，晶圆本身很容易发生变形，从而使得晶圆容易被损坏。尤其是采用机器传送和夹取时，如果晶圆太薄，机器夹持臂夹持超薄晶圆的力度不能过大，否则会容易将超薄晶圆夹碎，但是，如果夹持力太小，势必使得超薄晶圆无法被夹紧而掉落。而超薄晶圆(厚度不超过150um)一旦掉落则势必会损伤晶圆。

此外，在晶圆被夹取在检测设备上后，需要通过检测机对其进行检测。现有的检测机在对晶圆检测时，通常是对晶圆加载预定大小的电压，然后检测对应的电流。比如现有技术中的MOSFET测试。但是这种检测方式，无法适合超薄晶圆。一方面，超薄晶圆被放置在检测工位时，容易发生翘曲，此时如果直接对其进行检测，很容易使待检测的超薄晶圆被扎坏。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种超薄晶圆的检测方法和类普通晶圆，其中使用所述超薄晶圆的检测方法能够在不改变现有的晶圆检测设备的前提下，实现超薄晶圆的检测。

本发明的另一个目的在于提供一种超薄晶圆的检测方法和类普通晶圆，其中所述超薄晶圆的检测方法能够防止超薄晶圆在检测过程中发生翘曲。

本发明的另一个目的在于提供一种超薄晶圆的检测方法和类普通晶圆，其中所述超薄晶圆的检测方法能够防止所述超薄晶圆在检测过程中偏离检测的工位，以避免所述超薄晶圆被所述晶圆检测设备扎坏。

为实现本发明以上至少一个目的，本发明提供一种超薄晶圆的检测方法，其中所述超薄晶圆的检测方法包括以下步骤：

(S1)提供一可导电的硬质载体，用以承载待检测的超薄晶圆；

(S2)可电导通地贴合所述超薄晶圆于所述可导电的硬质载体所形成的承载面，以使所述可导电的硬质载体和所述超薄晶圆形成晶圆检测设备可直接检测的类普通晶圆，其中所述类普通晶圆的尺寸与普通晶圆的尺寸相同；和

(S3)通过晶圆检测设备检测转送至所述晶圆检测设备的所述类普通晶圆。

根据本发明一实施例，在所述步骤(S3)之前，所述超薄晶圆的检测方法包括以下步骤：

(S4)通过晶圆检测设备的真空吸臂，吸取所述类普通晶圆，其中组成所述类普通晶圆上的所述可导电的硬质载体的所述承载面设置至少一环状的负压槽。