[发明专利]一种超薄晶圆的检测方法和类普通晶圆在审
| 申请号： | 202110234639.6 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113066733A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 傅郁晓;骈文胜;闻国涛;吴庆;李志成 | 申请（专利权）人： | 上海伟测半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 | 代理人： | 罗晓鹏 |
| 地址： | 200013 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 检测 方法 普通 | ||
1.一种超薄晶圆的检测方法，其特征在于，其中所述超薄晶圆的检测方法包括以下步骤：
(S1)提供一可导电的硬质载体，用以承载待检测的超薄晶圆；
(S2)可电导通地贴合所述超薄晶圆于所述可导电的硬质载体所形成的承载面，以使所述可导电的硬质载体和所述超薄晶圆形成晶圆检测设备可直接检测的类普通晶圆，其中所述类普通晶圆的尺寸与普通晶圆的尺寸相同；和
(S3)通过晶圆检测设备检测转送至所述晶圆检测设备的所述类普通晶圆。
2.根据权利要求1所述超薄晶圆的检测方法，其特征在于，在所述步骤(S3)之前，所述超薄晶圆的检测方法包括以下步骤：
(S4)通过晶圆检测设备的真空吸臂，吸取所述类普通晶圆，其中组成所述类普通晶圆上的所述可导电的硬质载体的所述承载面设置至少一环状的负压槽。
3.根据权利要求2所述超薄晶圆的检测方法，其特征在于，所述可导电的硬质载体上设置至少两个同心的所述负压槽。
4.根据权利要求1至3中任一所述超薄晶圆的检测方法，其特征在于，所述可导电的硬质载体被实施为裸露的晶圆。
5.根据权利要求4所述超薄晶圆的检测方法，其特征在于，所述裸露的晶圆的被实施为由65猛钢制成。
6.一种类普通晶圆，其特征在于，其中所述类普通晶圆包括：
一超薄晶圆；和
一可导电的硬质载体，所述超薄晶圆被可电导通地贴合所述可导电的硬质载体。
7.根据权利要求6所述类普通晶圆，其特征在于，所述可导电的硬质载体的所述承载面设置至少一环状的负压槽。
8.根据权利要求7所述类普通晶圆，其特征在于，所述可导电的硬质载体上设置至少两个同心的所述负压槽。
9.根据权利要求6至8中任一所述类普通晶圆，其特征在于，所述可导电的硬质载体被实施为裸露的晶圆。
10.根据权利要求9所述类普通晶圆，其特征在于，所述裸露的晶圆的被实施为由65猛钢制成。
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