[发明专利]一种高比电容的MWCNTs-GONRsCo-Ni LDH电极的制备方法有效
| 申请号： | 202110227640.6 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN113012949B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 赫文秀;兰大为;韩晓星;邱恒睿;马倩;张永强 | 申请（专利权）人： | 内蒙古科技大学 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/36;H01G11/30 |
| 代理公司： | 北京律远专利代理事务所(普通合伙) 11574 | 代理人： | 全成哲 |
| 地址： | 014010 内蒙*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种高比电容的MWCNTs‑GONRsCo‑N i LDH电极的制备方法，包括：1)将粉末状MWCNTs‑GONRs分散在去离子水和乙二醇的混合溶液中，超声分散使溶液均匀，得到MWCNTs‑GONRs溶液；2)取Co(NO |
||
| 搜索关键词： | 一种 电容 mwcnts gonrsco ni ldh 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于内蒙古科技大学，未经内蒙古科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110227640.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
