[发明专利]离子注入区的形成方法在审
| 申请号： | 202110226460.6 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN113130308A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 陶骞;乔夫龙 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/266;H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/1157;H01L27/11573 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子注入区的形成方法，包括：步骤一、进行离子注入区的形成区域的定义，包括如下分步骤：步骤11、依次形成ODL层、SHB层和PR层；步骤12、采用光刻工艺对PR层进行图形化；步骤13、以图形化后的所述PR层为掩膜对SHB层进行刻蚀从而将图形转移到SHB层上；步骤14、去除PR层，以SHB层为掩膜对ODL层进行刻蚀将图形转移到ODL层上，离子注入区的形成区域的ODL层全部被去除；步骤二、以图形化后的ODL层和SHB层的叠加层为掩膜进行离子注入形成离子注入区；步骤三、去除SHB层和ODL层。本发明能精确控制离子注入区的CD和结深。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
