[发明专利]一种NAND阵列的控制方法、控制器、电子设备及存储介质有效
申请号: | 202110218614.7 | 申请日: | 2021-02-26 |
公开(公告)号: | CN113157205B | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 张伟;孙甫超;杨晨东;王硕;朱青 | 申请(专利权)人: | 西安微电子技术研究所 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G06F13/34 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 房鑫 |
地址: | 710065 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种NAND阵列的控制方法、控制器、电子设备及存储介质,包括以下过程:按应用需求创建配置命令;将配置命令进行命令仲裁;依次解析命令仲裁后的配置命令并创建命令轨,将创建的命令轨进行执行;命令轨执行完成,生成回应表,所述回应表包括配置命令对应的所有命令轨的执行状态,通过中断通知CPU,CPU读取回应表。本发明中CPU面向应用级的配置命令,而NAND闪存的操作序列根据配置命令自动构建命令轨实现,在多通道多片闪存阵列控制时可显著降低CPU的负载率。同时,通过命令轨编号可直接由回应表获取该命令轨的执行状态,可以实现闪存运行状态的准确获取。 | ||
搜索关键词: | 一种 nand 阵列 控制 方法 控制器 电子设备 存储 介质 | ||
【主权项】:
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