[发明专利]一种NAND阵列的控制方法、控制器、电子设备及存储介质有效

专利信息
申请号: 202110218614.7 申请日: 2021-02-26
公开(公告)号: CN113157205B 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 张伟;孙甫超;杨晨东;王硕;朱青 申请(专利权)人: 西安微电子技术研究所
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F13/34
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 房鑫
地址: 710065 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 nand 阵列 控制 方法 控制器 电子设备 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种控制器,其特征在于,包括:

AXI主机接口:用于编程闪存时,DMA数据通路控制模块从主存读取数据下发给闪存,也用于读取闪存时,DMA数据通路控制模块将闪存读取的数据写回到主存;

APB从机接口:用于CPU对控制寄存器组的配置及设置应用层的配置命令,还用于CPU对回应表缓存模块的读取;

命令缓存:用于存储CPU下发的应用层配置命令;

控制寄存器组:用于通用的控制;

命令仲裁模块:用于多组命令缓存之间的命令仲裁;

命令解析模块:当命令仲裁模块下发命令时,命令解析模块完成命令解析,并自动生成完成命令所需的命令轨下发到闪存接口控制模块执行,每个未完成的命令轨都记录在命令轨记录模块内;

DMA数据通路控制模块:用于接收命令轨的控制信息,负责主数据及用户数据在闪存与主存的搬移;

闪存接口控制模块:用于接收命令轨的控制信息,生成对闪存的接口时序,同时在DMA数据通路控制模块上还要完成对数据的随机化及BCH编解码工作;

回应表缓存模块:用于存储每个完成命令轨对应生成的回应表。

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