[发明专利]基于AlN基板的p沟道增强型GaN/AlN异质结场效应管及制备方法在审
| 申请号： | 202110218550.0 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113130642A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 张苇杭;刘茜;张进成;张金风;付李煜;赵胜雷;黄韧;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种基于AlN基板的p沟道增强型GaN/AlN异质结场效应管及制备方法，该场效应管包括自下而上依次层叠设置的衬底、AlN层、本征GaN层和p |
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| 搜索关键词： | 基于 aln 沟道 增强 gan 异质结 场效应 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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