[发明专利]一种基于背栅结构的SRAM存储单元、SRAM存储器以及上电方法有效
| 申请号： | 202110213230.6 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN112992221B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 李博;苏泽鑫;宿晓慧;刘凡宇;杨灿;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/417 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种基于背栅结构的SRAM存储单元、SRAM存储器以及上电方法，属于半导体领域。以解决当某一存储单元长期存储固定数据时，对称的两个晶体管将发生不同程度的BT I老化效应，产生永久性阈值电压失配的技术问题，导致SRAM存储单元上电后有一定概率读出与原存储数值相反的上电初值的技术问题。基于背栅结构的SRAM存储单元包括第一反相器以及第二反相器；所述第一反相器和所述第二反相器中的晶体管均为背栅晶体管；所述第一反相器中的晶体管的背栅具有第一连接方式，所述第二反相器中的晶体管的背栅具有第二连接方式，在所述基于背栅结构的SRAM存储单元上电时，所述第一反相器中的晶体管的阈值电压与所述第二反相器中的晶体管的阈值电压不同。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 结构 sram 存储 单元 存储器 以及 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110213230.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
