[发明专利]一种基于背栅结构的SRAM存储单元、SRAM存储器以及上电方法有效
| 申请号： | 202110213230.6 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN112992221B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 李博;苏泽鑫;宿晓慧;刘凡宇;杨灿;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/417 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 结构 sram 存储 单元 存储器 以及 方法 | ||
1.一种基于背栅结构的SRAM存储单元，其特征在于，包括交叉耦合的第一反相器和第二反相器；所述第一反相器和所述第二反相器中的晶体管均为背栅晶体管；
所述第一反相器中的晶体管的背栅具有第一连接方式，所述第二反相器中的晶体管的背栅具有第二连接方式，在所述基于背栅结构的SRAM存储单元上电时，所述第一反相器中的晶体管的阈值电压与所述第二反相器中的晶体管的阈值电压不同；
所述第一反相器中的晶体管的背栅与第一电位端电连接，所述第二反相器中的晶体管的背栅与第二电位端电连接；其中，所述第一电位端和所述第二电位端具有不同的电位；
所述第一电位端为高电位端，所述第二电位端为低电位端；
或，所述第一电位端为低电位端，所述第二电位端为高电位端；其中，所述高电位端为电源端或字线端，所述低电位端为接地端。
2.根据权利要求1所述的基于背栅结构的SRAM存储单元，其特征在于，所述第一电位端为所述电源端，所述第二电位端为所述接地端。
3.根据权利要求1所述的基于背栅结构的SRAM存储单元，其特征在于，当所述基于背栅结构的SRAM存储单元上电，字线为高电位时，所述第一电位端为所述字线端，所述第二电位端为所述接地端。
4.根据权利要求1所述的基于背栅结构的SRAM存储单元，其特征在于，所述第一电位端为所述接地端，所述第二电位端为所述电源端。
5.根据权利要求1所述的基于背栅结构的SRAM存储单元，其特征在于，当所述基于背栅结构的SRAM存储单元上电，字线为高电位时，所述第一电位端为所述接地端，所述第二电位端为所述字线端。
6.一种SRAM存储器，其特征在于，所述SRAM存储器包括权利要求1-5任一项所述的基于背栅结构的SRAM存储单元。
7.一种上电方法，其特征在于，应用于权利要求1-5任一项所述的基于背栅结构的SRAM存储单元，所述上电方法包括：
采用第一连接方式连接所述第一反相器中的晶体管的背栅，采用第二连接方式连接所述第二反相器中的晶体管的背栅；
控制所述基于背栅结构的SRAM存储单元上电，所述第一反相器中的晶体管的阈值电压大于或小于所述第二反相器中的晶体管的阈值电压。
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