[发明专利]基板处理装置在审
| 申请号： | 202110210293.6 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN113380659A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 中村美波;松嶋大辅;出村健介 | 申请（专利权）人： | 芝浦机械电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B08B7/00;B08B3/10 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 李雪春;阎文君 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置，其能够抑制形成在基板的表面上的凹凸部发生破损，且能够求出污染物的除去率。基板处理装置具备：放置台，能够使基板进行旋转；冷却部，能够向所述放置台与所述基板之间的空间供给冷却气体；液体供给部，能够向所述基板的所述放置台侧的相反面供给液体；检测部，能够检测所述液体的状态；及控制部，对所述基板的转速、所述冷却气体的流量、所述液体的供给量的至少任意一个进行控制。所述控制部根据来自所述检测部的数据，求出所述过冷却状态的液体的冻结开始时的温度，从预先求出的所述冻结开始时的温度与污染物的除去率的关系和冻结开始时的温度，能够对所述污染物的除去率进行运算。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
