[发明专利]基板处理装置

说明书

本发明提供一种基板处理装置，其能够抑制形成在基板的表面上的凹凸部发生破损，且能够求出污染物的除去率。基板处理装置具备：放置台，能够使基板进行旋转；冷却部，能够向所述放置台与所述基板之间的空间供给冷却气体；液体供给部，能够向所述基板的所述放置台侧的相反面供给液体；检测部，能够检测所述液体的状态；及控制部，对所述基板的转速、所述冷却气体的流量、所述液体的供给量的至少任意一个进行控制。所述控制部根据来自所述检测部的数据，求出所述过冷却状态的液体的冻结开始时的温度，从预先求出的所述冻结开始时的温度与污染物的除去率的关系和冻结开始时的温度，能够对所述污染物的除去率进行运算。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种基板处理装置。

背景技术

作为除去附着于压印用模板、光刻用掩模、半导体晶片等基板的表面的颗粒等污染物的方法，提出了冻结清洗法。

冻结清洗法中，例如当作为清洗中使用的液体而使用纯水时，首先，向进行旋转的基板的表面供给纯水和冷却气体。接下来，停止纯水的供给，排出被供给的纯水的一部分而在基板的表面上形成水膜。水膜因供向基板的冷却气体而被冻结。当水膜发生冻结而形成冰膜时，颗粒等污染物因进入冰膜而从基板的表面分离。接下来，向冰膜供给纯水而溶化冰膜，与纯水一起从基板的表面除去污染物。

但是，如果因冰膜的体积变化而冰膜与基板之间产生应力，则有可能对基板的表面产生损伤。尤其，当在基板的表面上形成有细微的凹凸部时，细微的凹凸部有可能发生破损。

于是，希望开发出一种基板处理装置，其能够抑制形成在基板的表面上的凹凸部发生破损，且能够提高污染物的除去率。

专利文献

专利文献1：日本国特开2018-026436号公报

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种基板处理装置，其能够抑制形成在基板的表面上的凹凸部发生破损，且能够提高污染物的除去率。

实施方式所涉及的基板处理装置具备：放置台，能够使基板进行旋转；冷却部，能够向所述放置台与所述基板之间的空间供给冷却气体；液体供给部，能够向所述基板的所述放置台侧的相反面供给液体；检测部，能够检测位于所述基板的所述面上的所述液体的状态；及控制部，对所述基板的转速、所述冷却气体的流量、所述液体的供给量的至少任意一个进行控制。所述控制部使位于所述基板的所述面上的所述液体处于过冷却状态，根据来自所述检测部的数据，求出所述过冷却状态的液体的冻结开始时的温度，从预先求出的所述冻结开始时的温度与污染物的除去率的关系和所述求出的冻结开始时的温度，能够对所述污染物的除去率进行运算。

根据本发明的实施方式，提供一种基板处理装置，其能够抑制形成在基板的表面上的凹凸部发生破损，且能够提高污染物的除去率。

附图说明

图1是用于例示本实施方式所涉及的基板处理装置的模式图。

图2是用于例示本实施方式所涉及的基板处理装置的控制部的模式图。

图3是用于例示基板处理装置的作用的时间图。

图4是用于例示冻结清洗工序中供向基板的液体的温度变化的曲线图。

图5是用于例示液体水的温度与密度关系及固体水的温度与密度关系的曲线图。

图6是用于例示水的始于过冷却状态的冻结开始时的温度与膨胀率关系的曲线图。

图7是用于例示冻结开始时的温度与液体和固体比例的关系的曲线图。

图8是用于例示冻结开始时的温度与冻结清洗工序的次数的关系的表。

图9是冻结清洗工序的流程图。

图10是当重复执行冻结清洗工序时的冷却工序及解冻工序的流程图。

图11是当重复执行冻结清洗工序时的冷却工序及解冻工序的流程图。

图12是当重复执行冻结清洗工序时的冷却工序及解冻工序的流程图。