[发明专利]基板处理装置在审
申请号: | 202110210293.6 | 申请日: | 2021-02-23 |
公开(公告)号: | CN113380659A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 中村美波;松嶋大辅;出村健介 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B7/00;B08B3/10 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 李雪春;阎文君 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,具备:
放置台,能够使基板进行旋转;
冷却部,能够向所述放置台与所述基板之间的空间供给冷却气体;
液体供给部,能够向所述基板的所述放置台侧的相反面供给液体;
检测部,能够检测位于所述基板的所述面上的所述液体的状态;
及控制部,对所述基板的转速、所述冷却气体的流量、所述液体的供给量的至少任意一个进行控制,其特征为,
所述控制部使位于所述基板的所述面上的所述液体处于过冷却状态,根据来自所述检测部的数据,求出所述过冷却状态的液体的冻结开始时的温度,从预先求出的所述冻结开始时的温度与污染物的除去率的关系和所述求出的冻结开始时的温度,能够对所述污染物的除去率进行运算。
2.一种基板处理装置,具备:
放置台,能够使基板进行旋转;
冷却部,能够向所述放置台与所述基板之间的空间供给冷却气体;
液体供给部,能够向所述基板的所述放置台侧的相反面供给液体;
检测部,能够检测位于所述基板的所述面上的所述液体的状态;
及控制部,对所述基板的转速、所述冷却气体的流量、所述液体的供给量的至少任意一个进行控制,其特征为,
所述控制部使位于所述基板的所述面上的所述液体处于过冷却状态,根据来自所述检测部的数据,检测所述过冷却状态的液体的冻结开始的时刻,在从所述检测出的冻结开始的时刻经过规定时间之后,开始对处于固液相状态的所述液体进行解冻。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征为,所述控制部在重复进行冻结清洗工序时,将该冻结清洗工序的前一个冻结清洗工序为止得到的除去率储存于存储部,根据所述除去率、所述该冻结清洗工序中求出的冻结开始时的温度和预先求出的所述冻结开始时的温度与污染物的除去率的关系,能够对所述该冻结清洗工序的除去率进行运算。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征为,
所述控制部在重复进行冻结清洗工序时,将该冻结清洗工序的前一个冻结清洗工序为止得到的除去率储存于存储部,
根据来自所述检测部的数据,求出所述该冻结清洗工序中的所述过冷却状态的液体的冻结开始时的温度,
从所述该冻结清洗工序的前一个冻结清洗工序为止得到的除去率和预先求出的所述冻结开始时的温度与污染物的除去率的关系和所述求出的冻结开始时的温度,能够对所述该冻结清洗工序中的污染物的除去率进行运算。
5.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征为,
所述控制部能够执行包括过冷却工序、冻结工序、解冻工序的所述冻结清洗工序,
该过冷却工序是通过对所述基板的转速、所述冷却气体的流量的至少任意一个进行控制而使位于所述基板的所述面上的所述液体处于过冷却状态的工序,
该冻结工序是在所述过冷却工序之后,通过对所述基板的转速、所述冷却气体的流量、所述液体的供给量的至少任意一个进行控制而使所述过冷却状态的液体发生冻结,从而使所述液体与冻结的所述液体存在的工序,
该解冻工序是通过对所述基板的转速、所述冷却气体的流量、所述液体的供给量的至少任意一个进行控制而解冻冻结的所述液体的工序,
被运算出的该冻结清洗工序中的所述污染物的除去率成为规定的值为止,可重复执行所述冻结清洗工序。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征为,
所述控制部能够执行包括过冷却工序、冻结工序、解冻工序的所述冻结清洗工序,
该过冷却工序是通过对所述基板的转速、所述冷却气体的流量的至少任意一个进行控制而使位于所述基板的所述面上的所述液体处于过冷却状态的工序,
该冻结工序是在所述过冷却工序之后,通过对所述基板的转速、所述冷却气体的流量、所述液体的供给量的至少任意一个进行控制而使所述过冷却状态的液体发生冻结,从而使所述液体与冻结的所述液体存在的工序,
该解冻工序是通过对所述基板的转速、所述冷却气体的流量、所述液体的供给量的至少任意一个进行控制而解冻冻结的所述液体的工序,
被运算出的该冻结清洗工序中的所述污染物的除去率成为规定的值为止,可重复执行所述冻结清洗工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造