[发明专利]一种通过选择性外延提升器件性能的方法在审
| 申请号： | 202110205209.1 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN113013231A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 涂火金 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过选择性外延提升器件性能的方法，提供半导体结构，该半导体结构包括基底、位于该基底上的两个MOS结构；在两个MOS结构之间的基底上刻蚀形成U型槽；在U型槽内外延生长缓冲层；在U型槽的缓冲层上生长体层；在体层上通过生长帽层并刻蚀该帽层的方法，得到在体层100晶面厚度均匀的帽层。本发明由于帽层的生长在体层不同晶面上厚度都很均匀，从而有效保护体层免受后面工艺影响，进而提升期间的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 选择性 外延 提升 器件 性能 方法 | ||
【主权项】：
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