[发明专利]电容单元及其制造方法在审
| 申请号： | 202110198057.7 | 申请日： | 2021-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN114843399A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 叶国裕;林维昱 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/01 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种电容单元及其制造方法，所述制造方法主要包括提供载板，在载板上形成金属层，并在金属层上定义各金属区块，在各金属区块上形成各中间堆叠结构，其具有电性连接金属区块的第一电容导电层、第二电容导电层、位于第一电容导电层和第二电容导电层之间的电容绝缘层，移除载板以外露各金属区块并形成独立的多个电容单元，各金属区块和各中间堆叠结构中的第二电容导电层分别作为各电容单元的底面电极和顶面电极。由此，本发明可制作具有高电容的双面式电容单元。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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