[发明专利]电容单元及其制造方法

权利要求书

1.一种电容单元制造方法，包括：

提供载板；

在所述载板上形成金属层，并在所述金属层上定义多个金属区块；

在各所述金属区块上形成各中间堆叠结构，各所述中间堆叠结构各自具有第一电容导电层、第二电容导电层以及位于所述第一电容导电层与所述第二电容导电层之间的电容绝缘层，且所述第一电容导电层电性连接所述金属区块；以及

移除所述载板以外露各所述金属区块，用于形成独立的多个电容单元；

其中，各所述金属区块形成各所述电容单元的底面电极，各所述中间堆叠结构中的所述第二电容导电层形成各所述电容单元的顶面电极。

2.如权利要求1所述的电容单元制造方法，其中，所述载板为玻璃载板。

3.如权利要求1所述的电容单元制造方法，其中，所述方法还包括：

在所述载板上形成离型层，并在所述离型层上形成所述金属层。

4.如权利要求1所述的电容单元制造方法，其中，所述在各所述金属区块上形成各中间堆叠结构的步骤还包括：

在所述金属区块上形成所述第一电容导电层；

在所述第一电容导电层上形成所述电容绝缘层；以及

在所述电容绝缘层上形成所述第二电容导电层。

5.如权利要求1所述的电容单元制造方法，其中，所述在各所述底面电极上形成各中间堆叠结构的步骤还包括：

在所述金属区块上形成绝缘材料层；

在所述绝缘材料层中形成外露所述金属区块的多个沟槽，用于定义位于所述金属区块上的增高子结构；

沿所述增高子结构的表面以及所述金属区块的外露表面形成具有厚度实质均匀的所述第一电容导电层；

沿所述第一电容导电层的表面形成具有厚度实质均匀的所述电容绝缘层；以及

在所述电容绝缘层上形成所述第二电容导电层，其中，所述第二电容导电层的下表面沿所述电容绝缘层的表面延伸。

6.如权利要求5所述的电容单元制造方法，其中，所述沟槽的水平剖面呈多边形、圆形或矩形。

7.如权利要求5所述的电容单元制造方法，其中，所述沟槽的垂直剖面呈锥形、柱形或梯形。

8.如权利要求5所述的电容单元制造方法，其中，所述增高子结构的高度可介于5～150微米。

9.如权利要求5所述的电容单元制造方法，其中，所述方法还包括利用光刻工艺、激光工艺、干蚀刻工艺中的任一种形成所述增高子结构。

10.如权利要求5所述的电容单元制造方法，其中，所述第一电容导电层和所述第二电容导电层是利用溅镀工艺或电镀工艺而形成。

11.如权利要求1所述的电容单元制造方法，其中，所述第一电容导电层包括至少一金属子层。

12.一种电容单元，其特征在于，该电容单元包括：

底面电极；

增高子结构，其设于所述底面电极上并具有外露所述底面电极的多个沟槽；

第一电容导电层，其设于所述增高子结构的表面以及所述底面电极的表面，并具有实质均匀地厚度；

电容绝缘层，其衬设于所述第一电容导电层的表面，并具有实质均匀的厚度；以及

顶面电极，其覆盖所述电容绝缘层的表面，且所述顶面电极的邻接所述电容绝缘层的一侧沿所述电容绝缘层的表面延伸。

13.如权利要求12所述的电容单元，其中，所述第一电容导电层包括至少一金属子层。

14.如权利要求13所述的电容单元，其中，所述沟槽的水平剖面呈多边形、圆形或矩形。

15.如权利要求13所述的电容单元，其中，所述沟槽的垂直剖面呈锥形、柱形或梯形。

16.一种电容单元制造方法，包括：

提供载板；

在所述载板上形成金属层，并在所述金属层上定义多个金属区块；

在各所述金属区块上形成各中间堆叠结构，各所述中间堆叠结构各自具有第二电容导电层以及位于所述金属区块与所述第二电容导电层之间的电容绝缘层；以及

移除所述载板以外露各所述金属区块，用于形成独立的多个电容单元；

其中，各所述金属区块形成各所述电容单元的底面电极，各所述中间堆叠结构中的所述第二电容导电层形成各所述电容单元的顶面电极。