[发明专利]电容单元及其制造方法在审
| 申请号: | 202110198057.7 | 申请日: | 2021-02-22 |
| 公开(公告)号: | CN114843399A | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
| 发明(设计)人: | 叶国裕;林维昱 | 申请(专利权)人: | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L49/02 | 分类号: | H01L49/02;H01L27/01 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电容 单元 及其 制造 方法 | ||
本发明公开一种电容单元及其制造方法,所述制造方法主要包括提供载板,在载板上形成金属层,并在金属层上定义各金属区块,在各金属区块上形成各中间堆叠结构,其具有电性连接金属区块的第一电容导电层、第二电容导电层、位于第一电容导电层和第二电容导电层之间的电容绝缘层,移除载板以外露各金属区块并形成独立的多个电容单元,各金属区块和各中间堆叠结构中的第二电容导电层分别作为各电容单元的底面电极和顶面电极。由此,本发明可制作具有高电容的双面式电容单元。
技术领域
本发明涉及一种半导体技术,尤其是涉及一种电容单元及其制造方法、电容集成结构。
背景技术
现有电容(例如MLCC)的完整制造流程包括诸多工艺步骤,例如,调浆、瓷膜成型、印刷、堆叠、均压、切割、去胶、烧结、倒角、沾银、烧附、电镀、测试、包装等步骤,此产品制造程序虽然复杂却十分成熟,相关产业链的供应商或者是产量,长期呈现一种足量供给的稳定状态。直至近期随着科技进步,物联网、5G通讯、人工智能、电动车各种新领域的应用被开发,以及各类型电子产品的功能日益提升,采用元件的种类与数量愈加庞大;主动元件使用数量的扩增与精密度的提高,使得搭配的被动元件数量也随之倍数成长,积层陶瓷电容(MLCC)则为其中之最。因此,市场逐渐开始呈现供不应求的状况,而近期被动元件供应商的增产计划并无法完全满足市场需求,缺货的情况将会影响整体产业的发展。另一方面,如何在有限的空间之内将所有元件布局陈列是一大课题,为因应高密度的元件布局陈列,朝缩小元件面积甚至体积为势在必行,传统的电容制造工艺,无论是在面积的微缩或者产品的精密度都已经面临挑战。
有鉴于此,本发明使用一种有别于传统积层陶瓷电容(MLCC)的材料、构造与制造流程,为市场供给提供另一种电容的选择。本发明也可降低电容面积缩小的困难度进而提高产品精密度,另一方面则可避免传统积层陶瓷电容(MLCC)制造流程中高温锻烧的程序,进而达到节能减碳并降低其制造成本。
发明内容
鉴于上述现有技术的缺点,本发明提供一种电容单元及其制造方法,适于制作具有高电容的双面电容单元。
为达到上述目的及其他相关的目的,本发明实施例提供一种电容单元制造方法,包括提供一载板;形成一金属层于所述载板上,并在所述金属层上定义多个金属区块;在各所述金属区块上形成各中间堆叠结构,各所述中间堆叠结构各自具有一第一电容导电层、一第二电容导电层以及位于所述第一电容导电层与所述第二电容导电层之间的一电容绝缘层,且所述第一电容导电层电性连接所述金属区块;以及移除所述载板以外露各所述金属区块,用于形成独立的多个电容单元。其中,各所述金属区块形成各所述电容单元的底面电极,各所述中间堆叠结构中的所述第二电容导电层形成各所述电容单元的顶面电极。
可选地,所述载板为玻璃载板。
可选地,所述方法还包括形成一离型层于所述载板上,并形成所述金属层于所述离型层上。
可选地,所述于各所述金属区块上形成各中间堆叠结构的步骤还包括:形成所述第一电容导电层于所述金属区块上;形成所述电容绝缘层于所述第一电容导电层上;以及形成所述第二电容导电层于所述电容绝缘层上。
可选地,所述于各所述底面电极上形成各中间堆叠结构的步骤还包括:形成一绝缘材料层于所述金属区块上;在所述绝缘材料层中形成外露所述金属区块的多个沟槽,用于定义位于所述金属区块上的一增高子结构;沿所述增高子结构的表面以及所述金属区块的外露表面形成具有厚度实质均匀的所述第一电容导电层;沿所述第一电容导电层的表面形成具有厚度实质均匀的所述电容绝缘层;以及于所述电容绝缘层上形成所述第二电容导电层,其中,所述第二电容导电层的下表面沿所述电容绝缘层的表面延伸。
可选地,所述沟槽的水平剖面呈多边形、圆形或矩形。
可选地,所述沟槽的垂直剖面呈锥形、柱形或梯形。
可选地,所述增高子结构的高度可介于5~150微米。
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