[发明专利]氮掺杂栅氧化层的形成工艺的监控方法在审
| 申请号： | 202110196845.2 | 申请日： | 2021-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN113013236A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 王建涛;张聪 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/3115;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮掺杂栅氧化层的形成工艺的监控方法，包括：步骤一、在硅片上形成包含有对准标记的零层图形；步骤二、在形成有零层图形的硅片表面上形成氮掺杂的栅氧化层；步骤三、进行第二次光刻工艺在栅氧化层表面上形成第二层光刻胶图形，第二层光刻胶图形和零层图形的对准标记对准；在第二次光刻工艺的曝光对准过程中同时获得对准指标参数；步骤四、根据对准指标参数在硅片上的面内分布对步骤二中的栅氧化层的形成工艺的参数进行调整。本发明不仅能提高栅氧化层的厚度均一性，还同时能保证栅氧化层后一光刻层次的对准过程无异常并从而能改善套刻精度，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 氧化 形成 工艺 监控 方法 | ||
【主权项】：
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