[发明专利]三维存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110196791.X | 申请日： | 2021-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN112951834B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 李寒骁;任军奇;范光龙;陈金星 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H10B41/20;H10B43/30;H10B43/20 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种三维存储器及其制备方法。三维存储器的制备方法包括:提供衬底；在所述衬底的第一面形成堆叠层，并在所述堆叠层内形成存储芯柱；其中，在所述堆叠层内形成存储芯柱包括：在所述衬底的第二面形成第一牺牲层，所述衬底的第二面与所述衬底的第一面相背设置；在所述第一牺牲层的表面形成第二牺牲层；其中，所述第二牺牲层的材料不同于所述第一牺牲层的材料；刻蚀所述第二牺牲层；在所述第一牺牲层的表面形成第三牺牲层，所述第三牺牲层的材料不同于所述第二牺牲层的材料。本申请提供的三维存储器的制备方法，通过调整去除衬底第二面层结构的顺序，减小衬底损伤的风险，从而有利于提高三维存储器制备方法的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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