[发明专利]三维存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底的第一面形成堆叠层，并在所述堆叠层内形成存储芯柱；

其中，在所述堆叠层内形成存储芯柱包括：

在所述衬底的第二面形成第一牺牲层，所述衬底的第二面与所述衬底的第一面相背设置；

在所述第一牺牲层的表面形成第二牺牲层；其中，所述第二牺牲层的材料不同于所述第一牺牲层的材料；

刻蚀所述第二牺牲层；

在所述第一牺牲层的表面形成第三牺牲层，所述第三牺牲层的材料不同于所述第二牺牲层的材料。

2.如权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述第一牺牲层的材料不同于所述衬底的材料，且所述第三牺牲层的材料不同于所述衬底的材料。

3.如权利要求2所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，在所述第一牺牲层的表面形成第三牺牲层之后，所述制备方法还包括：

刻蚀所述第三牺牲层和所述第一牺牲层。

4.如权利要求3所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，采用同一道工艺制程刻蚀所述第三牺牲层和所述第一牺牲层。

5.如权利要求1至4中任一项所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，在所述堆叠层内形成存储芯柱还包括：

刻蚀所述堆叠层的部分结构，以形成上选择管沟槽；

在所述上选择管沟槽内形成介电层，并在所述衬底的第二面同步形成所述第一牺牲层。

6.如权利要求5所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，在所述上选择管沟槽内形成介电层之后，所述制备方法还包括：

刻蚀所述堆叠层，以形成贯穿所述堆叠层的沟道孔；

在所述沟道孔内形成保护层，并在所述第一牺牲层的表面同步形成所述第二牺牲层。

7.如权利要求6所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，在所述沟道孔内形成保护层之后，所述制备方法还包括：

沿所述沟道孔轴向依次形成存储器层及牺牲层。

8.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底的第一面形成堆叠层；

刻蚀所述堆叠层，以形成贯穿所述堆叠层的沟道孔；

沿所述沟道孔轴向依次形成存储器层及牺牲层，并在所述衬底的第二面同步依次形成第一层及第二层；其中，所述第一层与所述存储器层采用同一道工艺制程，所述第二层与所述牺牲层采用同一道工艺制程，所述衬底的第二面与所述衬底的第一面相背设置；

在所述第二层的表面形成第三层，其中，所述第三层的材料与所述第二层的材料相同；

刻蚀所述第三层及所述第二层；

在所述第一层的表面形成第四层，所述第四层的材料不同于所述第三层的材料。

9.如权利要求8所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述第一层的材料不同于所述衬底的材料，且所述第四层的材料不同于所述衬底的材料。

10.如权利要求8所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，在所述第一层的表面形成第四层之后，所述制备方法还包括：

刻蚀所述第四层和所述第一层。

11.如权利要求8至10中任一项所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，沿所述沟道孔轴向依次形成存储器层及牺牲层之后，所述制备方法还包括：

刻蚀所述牺牲层及所述存储器层的底部，以露出所述存储器层下方的结构；

沿所述沟道孔的轴向形成沟道层，并在所述第二层的表面同步形成所述第三层。

12.如权利要求11所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，在刻蚀所述第三层及所述第二层之后，所述制备方法还包括：

沿所述沟道孔填充绝缘层，并在所述第一层的表面同步形成所述第四层。