[发明专利]一种提高UIS能力的超结MOSFET制造方法有效
| 申请号： | 202110190645.6 | 申请日： | 2021-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN112563142B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 秦芳莉;韩廷瑜;何云;梁路;陈会治;罗顶 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 绍兴市寅越专利代理事务所(普通合伙) 33285 | 代理人： | 邓爱民 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高UIS能力的超结MOSFET制造方法，该方法首先在衬底的外延层上形成P型柱和P型体区，在形成源区之前先从注入窗口处注入高剂量的P型杂质但并不退火作业，然后按现有工艺方法注入N型杂质形成源区；由于在源区形成前注入窗口没有隔离侧墙横向遮挡，有利于高剂量被注入的P型杂质横向扩散，借助源区形成时的退火作业将第二次注入的P型杂质向深度方向推进，这样就增大了高浓度P型杂质的面积分布，有利于降低BJT的基区电阻；在源区以及栅极侧壁的隔离侧墙形成后，第三次注入高剂量的P型杂质并退火，先后第二次和第三次P型杂质的注入增加了基区的掺杂浓度，也可以令基区电阻显著降低，达到提高器件UIS能力的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 uis 能力 mosfet 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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