[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110187733.0 | 申请日： | 2021-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN114975607A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 李春旭;林峰;金华俊;杨斌;黄宇;黄刚;陈淑娴;金宏峰 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 姚姝娅 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，包括：衬底；体区，具有第一导电类型，形成于衬底中；漂移区，具有第二导电类型，形成于衬底中，且与体区相邻；场板结构，形成于漂移区上，场板结构靠近体区的一端的下表面与衬底的上表面齐平，且具有向上延伸的倾斜面，场板结构远离体区的一端的下表面低于衬底的上表面，场板结构的厚度自靠近体区的一端向远离体区的一端逐渐增加到预设值；漏极区，具有第二导电类型，形成于漂移区的上表层，且与场板结构远离体区的一端接触。在不增加下表面低于衬底的上表面的场板结构的长度的同时，使得JEFET区域的位置形成有厚度逐渐增加的场板结构，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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