[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

体区，具有第一导电类型，形成于所述衬底中；

漂移区，具有第二导电类型，形成于所述衬底中，且与所述体区相邻，所述第二导电类型和所述第一导电类型相反；

场板结构，形成于所述漂移区上，所述场板结构靠近所述体区的一端的下表面与所述衬底的上表面齐平，且具有向上延伸的倾斜面，所述场板结构远离所述体区的一端的下表面低于所述衬底的上表面，所述场板结构的厚度自靠近所述体区的一端向远离所述体区的一端逐渐增加到预设值；

漏极区，具有第二导电类型，形成于所述漂移区的上表层，且与所述场板结构远离所述体区的一端接触。

2.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述倾斜面与所述场板结构靠近所述体区的一端的下表面之间的夹角不小于30度且不大于60度。

3.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述场板结构包括：

第一氧化结构，为所述场板结构远离所述体区的一端，形成于所述漂移区上，且所述第一氧化结构的上表面不低于所述衬底的上表面，所述第一氧化结构自体区向漂移区的方向依次包括第一端部和第二端部，且所述第一氧化结构的厚度自所述第一端部向所述第二端部逐渐增加到所述预设值；

第二氧化结构，形成于靠近所述体区一侧的所述漂移区的上表面，且沿所述第一端部的上表面延伸至所述第一端部和所述第二端部的交界处，所述倾斜面为所述第二氧化结构靠近所述体区的上表面。

4.根据权利要求3所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述第二氧化结构的厚度不大于1500埃。

5.根据权利要求3所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述第一氧化结构包括局部硅隔离氧化结构，所述局部硅隔离氧化结构是通过凹陷工艺制成的。

6.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括：

源极区，具有第二导电类型，形成于所述体区的上表层；

多晶硅栅，形成于所述场板结构上，且沿所述场板结构延伸覆盖在所述源极区与所述场板结构之间的衬底上；

浅槽隔离结构，形成于所述衬底中，所述浅槽隔离结构与所述漏极区接触，且所述浅槽隔离结构的部分下表面与所述漂移区接触。

7.一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底中形成相邻的体区和漂移区，其中，所述体区具有第一导电类型，所述漂移区具有和第一导电类型相反的第二导电类型；

在所述漂移区上形成场板结构，所述场板结构靠近体区的一端的下表面与衬底的上表面齐平，且具有向上延伸的倾斜面，所述场板结构远离体区的一端的下表面低于所述衬底的上表面，所述场板结构的厚度自靠近体区的一端向远离体区的一端逐渐增加到预设值；

在漂移区的上表层形成第二导电类型的漏极区，所述漏极区与所述场板结构远离所述体区的一端接触。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述在漂移区上形成场板结构的步骤包括：

在所述漂移区上形成第一氧化结构，所述第一氧化结构自体区向漂移区的方向依次包括第一端部和第二端部，且所述第一氧化结构的厚度自所述第一端部向所述第二端部逐渐增加到所述预设值；

在靠近所述体区一侧的所述漂移区的上表面形成第二氧化结构，所述第二氧化结构沿所述第一端部的上表面延伸至所述第一端部和所述第二端部的交界处；

其中，所述第一氧化结构为所述场板结构远离所述体区的一端，所述倾斜面为所述第二氧化结构靠近所述体区的上表面，所述倾斜面与所述场板结构靠近所述体区的一端的下表面之间的夹角不小于30度且不大于60度。