[发明专利]一种减少GaAs基发光二极管手动键合过程中裂纹的工艺方法在审
| 申请号： | 202110187714.8 | 申请日： | 2021-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN114975741A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 徐晓强;程昌辉;王梦雪;闫宝华;王成新 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L21/67 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 赵龙群 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种减少GaAs基发光二极管手动键合过程中裂纹的工艺方法，包括如下步骤：(1)晶片准备；(2)晶片放置：将GaAs基LED晶片的第二反射镜层朝上平放在耐高温袋中，然后在GaAs基LED晶片第二反射镜层的边缘放置楔子，再将步骤(1)中制备好的硅片的的金属粘附层朝下放置在GaAs基LED晶片上，使得楔子将GaAs基LED晶片与硅片间隔开，并且将硅片的切边与GaAs基LED晶片的切边对齐；(3)抽真空、贴片；(4)压片；(5)高温键合；(6)管芯结构制作。本发明提供的方法可以大幅度减少或杜绝键合过程中裂纹/裂片的产生，适用于所有LED晶片的键合制程，且成本低廉，质量稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 gaas 发光二极管 手动 过程 裂纹 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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