[发明专利]一种基于横向桥接pn结的自供电纳米紫外探测器有效
申请号: | 202110186953.1 | 申请日: | 2021-02-10 |
公开(公告)号: | CN112909109B | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 高志远;靳晓频 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0296;H01L31/103;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 张立改 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种基于横向桥接pn结的自供电纳米紫外探测器,涉及紫外探测技术领域。本发明通过在两个对称的ZnO种子层相对的侧壁上一个生长n型ZnO纳米线,一个生长p型ZnO纳米线形成横向桥接来制备自供电紫外探测器以避免纳米线转移的复杂过程和不需要考虑单根纳米线中如何控制一种导电类型的纳米线在另一种导电类型的纳米线上继续生长的问题;并增大了器件的感光面积,优化了紫外探测器的响应性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 横向 pn 自供 纳米 紫外 探测器 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的