[发明专利]图像传感器和用于形成图像传感器的方法在审
| 申请号： | 202110184179.0 | 申请日： | 2021-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN113725241A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 王兆圻;曾仲铨;赖佳平;曾思蒨;房业勋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的各种实施例涉及用于形成图像传感器的方法，其中，器件层覆盖在衬底上并且具有不同于衬底的半导体材料，并且其中，器件层具有高晶体质量。该方法的一些实施例包括：在衬底上外延生长器件层；图案化器件层以形成将器件层分为与像素相对应的台面结构的沟槽；形成填充沟槽并且分离台面结构的像素间介电层；以及在台面结构中形成光检测器。该方法的其他实施例包括：在衬底上方沉积像素间介电层；图案化像素间介电层以形成与像素相对应的腔；在腔中外延生长台面结构；以及在台面结构中形成光检测器。根据本申请的其他实施例，还提供了图像传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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