[发明专利]一种屏蔽栅场效应晶体管的介质层的制造方法及相关产品在审
| 申请号： | 202110183827.0 | 申请日： | 2021-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN113066860A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 周鸣涛;柯行飞;张裕华;江奇辉 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人： | 常忠良 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种屏蔽栅场效应晶体管的介质层的制造方法及相关产品。首先形成屏蔽栅的裸露位置对应的氧化介质层；其后在裸露位置对应的氧化介质层上形成第一掩膜层；接着对屏蔽栅的侧壁的氧化介质层进行刻蚀，并在刻蚀过程中以第一掩膜层保护裸露位置对应的氧化介质层；最后去除残留的第一掩膜层。该方法以氧化工艺替代了填充工艺来形成介质层，对于高深宽比的器件不易形成介质层内的空洞，避免了填充工艺对器件沟槽侧壁和顶端的破坏，提升器件的良率。该方法中还免除了平坦化的操作，使工艺步骤得到简化，成本也更加低廉。因此，该制造方法具有更好的应用前景，以此方法制造出的屏蔽栅场效应晶体管具有更加稳定的性能和质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 屏蔽 场效应 晶体管 介质 制造 方法 相关 产品 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华为技术有限公司，未经华为技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110183827.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
