[发明专利]一种屏蔽栅场效应晶体管的介质层的制造方法及相关产品

权利要求书

1.一种屏蔽栅场效应晶体管的介质层的制造方法，其特征在于，包括：

形成屏蔽栅的裸露位置对应的氧化介质层；

在所述裸露位置对应的氧化介质层上形成第一掩膜层；

对所述屏蔽栅的侧壁的氧化介质层进行刻蚀，并在刻蚀过程中以所述第一掩膜层保护所述裸露位置对应的氧化介质层；

去除残留的所述第一掩膜层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述屏蔽栅的侧壁的氧化介质层进行刻蚀，包括：

通过湿法刻蚀工艺对所述屏蔽栅的侧壁的氧化介质层进行刻蚀，控制在刻蚀过程中的刻蚀参数，以使刻蚀停止时所述屏蔽栅的侧壁的氧化介质层的高度高于所述裸露位置对应的氧化介质层的高度，且所述屏蔽栅的侧壁的氧化介质层的高度与所述裸露位置对应的氧化介质层的高度之差小于预设阈值。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述去除残留的所述第一掩膜层，包括：

清洗残留的所述第一掩膜层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成屏蔽栅的裸露位置对应的氧化介质层，包括：

设定氧化参数；

将已形成所述屏蔽栅且所述屏蔽栅包括所述裸露位置的场效应晶体管放置到高温炉中，根据所述氧化参数对所述裸露位置进行氧化，形成所述裸露位置对应的氧化介质层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述裸露位置对应的氧化介质层上形成第一掩膜层，包括：

在所述裸露位置对应的氧化介质层上涂布掩膜材料；

对所述掩膜材料加热固化得到所述第一掩膜层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述裸露位置对应的氧化介质层上涂布掩膜材料，包括：

根据刻蚀参数确定所述掩膜材料的目标用量；

在所述裸露位置对应的氧化介质层上旋涂所述目标用量的所述掩膜材料。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述掩膜材料包括：树脂。

8.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述树脂包括：苯并环丁烯BCB。

9.一种屏蔽栅场效应晶体管，其特征在于，包括：沟槽、屏蔽栅和所述沟槽内包裹于所述屏蔽栅周围的氧化介质层；所述氧化介质层包括：邻接所述沟槽内壁的侧壁氧化介质层，以及位于所述屏蔽栅顶部的氧化介质层；

所述位于屏蔽栅顶部的氧化介质层为通过氧化工艺形成的。

10.根据权利要求9所述的屏蔽栅场效应晶体管，其特征在于，所述邻接所述沟槽内壁的侧壁氧化介质层为对原始侧壁氧化介质层进行刻蚀后残留的侧壁氧化介质层。

11.根据权利要求10所述的屏蔽栅场效应晶体管，其特征在于，在对所述原始侧壁氧化介质层进行刻蚀的过程中，以第一掩膜层对所述位于屏蔽栅顶部的氧化介质层进行保护；所述第一掩膜层，为在对所述原始侧壁氧化介质层进行刻蚀之前预先形成在所述位于屏蔽栅顶部的氧化介质层之上的掩膜层。

12.根据权利要求9-11任一项所述的屏蔽栅场效应晶体管，其特征在于，所述邻接所述沟槽内壁的侧壁氧化介质层的高度与所述位于屏蔽栅顶部的氧化介质层的高度齐平。