[发明专利]基片处理方法和基片处理装置在审
| 申请号： | 202110183119.7 | 申请日： | 2021-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN113284786A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 渡部诚一;成重和树;林欣禾;徐建峰;黄艺豪;梁振康;吕育骏;叶秋华;赵斌;蔡财进;渡边雄仁;河村浩司;小松贤次;金丽;陈伟德;刘达立 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够抑制蚀刻过程中的电弧放电的发生的基片处理方法和基片处理装置。本发明是一种腔室中的基片处理方法，其中，腔室包括：载置基片的载置台；与载置台相对的上部电极；和用于对腔室内供给处理气体的气体供给口，该基片处理方法包含下述a)～d)。a)是对载置台提供基片的工序。b)是对腔室内供给第一处理气体的工序。c)是通过一边对上部电极连续地供给负直流电压，一边连续地供给RF信号，来从第一处理气体生成等离子体的工序。d)是通过一边对上部电极连续地供给负直流电压，一边供给脉冲状的RF信号，来从第一处理气体生成等离子体的工序。c)和d)被交替地反复执行。此外，c)的每1次的期间为30秒以下。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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