[发明专利]基片处理方法和基片处理装置在审

申请号：	202110183119.7	申请日：	2021-02-10
公开（公告）号：	CN113284786A	公开（公告）日：	2021-08-20
发明（设计）人：	渡部诚一;成重和树;林欣禾;徐建峰;黄艺豪;梁振康;吕育骏;叶秋华;赵斌;蔡财进;渡边雄仁;河村浩司;小松贤次;金丽;陈伟德;刘达立	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01J37/32	分类号：	H01J37/32;H01L21/3065
代理公司：	北京尚诚知识产权代理有限公司 11322	代理人：	龙淳;刘芃茜
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	处理方法装置
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【说明书】：

本发明提供能够抑制蚀刻过程中的电弧放电的发生的基片处理方法和基片处理装置。本发明是一种腔室中的基片处理方法，其中，腔室包括：载置基片的载置台；与载置台相对的上部电极；和用于对腔室内供给处理气体的气体供给口，该基片处理方法包含下述a)～d)。a)是对载置台提供基片的工序。b)是对腔室内供给第一处理气体的工序。c)是通过一边对上部电极连续地供给负直流电压，一边连续地供给RF信号，来从第一处理气体生成等离子体的工序。d)是通过一边对上部电极连续地供给负直流电压，一边供给脉冲状的RF信号，来从第一处理气体生成等离子体的工序。c)和d)被交替地反复执行。此外，c)的每1次的期间为30秒以下。

技术领域

本发明的各个方面和实施方式涉及基片处理方法和基片处理装置。

背景技术

已知一种准备具有位于不同高度的多个基底层和形成于多个基底层上的对象膜的基片，使用位于各基底层的上方的具有多个开口的掩模，通过蚀刻在对象膜中形成深度不同的孔的技术(例如参照下述专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2019-9259号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种能够抑制蚀刻过程中的电弧放电的发生的基片处理方法和基片处理装置。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一个方面是腔室中的基片处理方法，其中，腔室包括：载置基片的载置台；与载置台相对的上部电极；和用于对腔室内供给处理气体的气体供给口，该基片处理方法包含下述a)～d)。a)是对载置台提供基片的工序。b)是对腔室内供给第一处理气体的工序。c)是通过一边对上部电极连续地供给负直流电压，一边连续地供给RF信号，来从第一处理气体生成等离子体的工序。d)是通过一边对上部电极连续地供给负直流电压，一边供给脉冲状的RF信号，来从第一处理气体生成等离子体的工序。c)和d)被交替地反复执行。此外，c)的每1次的期间为30秒以下。

发明效果

依照本发明的各个方面和实施方式，能够抑制蚀刻过程中的电弧放电的产生。

附图说明

图1是表示本发明的一实施方式中的蚀刻装置的一个例子的概要截面图。

图2是表示蚀刻前的基片的截面的一个例子的图。

图3是表示蚀刻后的基片的截面的一个例子的图。

图4是表示等离子体蚀刻中的腔室内的电子的活动的一个例子的示意图。

图5是表示停止RF信号的供给的情况下的腔室内的电子的活动的一个例子的示意图。

图6是表示RF信号和直流电压的控制的一个例子的图。

图7是表示第一蚀刻工序和第二蚀刻工序的执行时间的一个例子的图。

图8是表示V_pp的大小关于蚀刻时间的变化的一个例子的图。

图9是表示导电膜关于蚀刻时间的蚀刻量的一个例子的图。