[发明专利]带有空气桥场板结构的GaN HEMT射频器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110182884.7 | 申请日： | 2021-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN112993019A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 孙慧卿;王鹏霖;黄志辉;丁霄;郭志友 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11919 | 代理人： | 仵乐娟 |
| 地址： | 510630 广东省广州市天*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及带有空气桥场板结构的GaN HEMT射频器件及其制备方法，包括依次层叠于衬底上的缓冲层、通道层、AlN插入层以及势垒层；源极和漏极位于势垒层上；GaN帽层位于源极和漏极之间，栅极位于帽层上；钝化层连续横跨覆盖于源极与栅极之间、栅极以及栅极与漏极之间；截面呈对称阶梯状的空气桥场板结构的一端沿源极的表面延伸横跨源极与栅极之间、栅极以及栅极与漏极之间，另一端位于栅极与漏极之间；钝化层与对称阶梯状空气桥场板结构之间存在空气区域。其中异质结间插入AlN薄层的设计结合对称阶梯状的空气桥场板结构明显提升了器件的射频性能和高温稳定性，另外该制备方法简单，工艺可靠性高，产业化应用前景好。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 空气 板结 gan hemt 射频 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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