[发明专利]一种半导体鳍式场效应晶体管结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202110177234.3 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN112951920B | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 陈尚志 | 申请（专利权）人： | 泉芯集成电路制造（济南）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力 |
| 地址： | 250101 山东省济南市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体鳍式场效应晶体管结构及其制备方法，其中，所述半导体鳍式场效应晶体管结构的衬底中设计有至少两类防穿通注入，不同类的所述防穿通注入深入所述衬底的深度和/或掺杂浓度不同，可以兼顾不同器件或区域对于载流子迁移率和抗漏电能力的需求，避免同一深度或掺杂浓度的防穿通注入无法兼顾载流子迁移率和抗漏电能力需求的情况，实现合理设计半导体鳍式场效应晶体管结构中的防穿通注入、兼顾载流子迁移率和抗漏电能力需求的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 场效应 晶体管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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