[发明专利]基于CIS产品的高深宽比坚膜结构控制关键尺寸的方法

摘要

本发明公开了一种基于CIS产品的高深宽比坚膜结构控制关键尺寸的方法，包括：在晶圆中形成STI隔离结构；在所述晶圆上自下而上形成层间介电层、刻蚀阻挡层、离子注入阻挡层、抗反射介电层；在所述抗反射介电层上形成光刻胶层；曝光显影，形成光刻胶图案；利用所述光刻胶图案刻蚀所述抗反射介电层和所述离子注入阻挡层并停在所述刻蚀阻挡层的表面，形成高深宽比的沟槽；去除所述光刻胶层和所述抗反射介电层；在所述离子注入阻挡层的表面及所述沟槽的侧壁和底部形成线形氧化层；进行离子注入；去除线形氧化层、离子注入阻挡层、刻蚀阻挡层、层间介电层。本发明可以实现高深宽比结构底部关键尺寸的缩小，以此来实现CIS产品更小线宽的开发需求。