[发明专利]沟槽栅半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110159701.X | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN112701163A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 李昊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽栅半导体器件，包括：在第一外延层中形成的体区，栅极沟槽穿过体区，栅极导电材料层将栅极沟槽的底部区域完全填充，源区形成在栅极沟槽的顶部区域的侧面的第一外延层中且通过带角度离子注入自对准形成；在栅极导电材料层的表面形成有顶部介质层，顶部介质层的侧面覆盖源区的部分厚度；源接触孔的底部自对准形成在顶部介质层顶部的栅极沟槽中，源区和源接触孔侧面接触实现源区引出。本发明还公开了一种沟槽栅半导体器件的制造方法。本发明不需要源接触孔和沟槽栅之间满足横向隔离的对准，能降低器件的步进和降低寄生三极管的基区电阻并同时提高工艺窗口和可生产性。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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