[发明专利]集成电路及其形成方法在审
| 申请号： | 202110157558.0 | 申请日： | 2021-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN113363212A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 王博昇;郑朝元;田倩绮;林洋绪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/02;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成集成电路的方法包括：将集成电路的第一单元布局设计放置在布局设计上；以及基于布局设计制造集成电路。放置第一单元布局设计包括：根据第一准则集合，将第一有源区域布局图案与第一单元边界相邻放置，将第二有源区域布局图案与第二单元边界相邻放置，以及将第一有源区域布局图案集合放置在第一和第二有源区域布局图案之间。第一准则集合包括选择具有第一驱动强度的第一类型的晶体管和具有第二驱动强度的第二类型的晶体管。在一些实施例中，第一有源区域布局图案、第二有源区域布局图案和第一有源区域布局图案集合沿第一方向延伸，并且处于第一布局层级上。本发明的实施例还涉及一种集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
