[发明专利]鳍式晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202110153130.9 | 申请日： | 2021-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN112864251A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 翁文寅 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种鳍式晶体管包括：形成于鳍体上的栅极结构、源区和漏区。源漏区的形成区域的鳍体中形成有嵌入式外延层。栅极结构的形成区域由伪栅极结构定义，嵌入式外延层自对准形成在伪栅极结构两侧的鳍体中，源漏区形成在嵌入式外延层中。源漏区的形成区域中的鳍体具有第一关键尺寸。沟道区的形成区域中的鳍体在伪栅极结构去除前具有第一关键尺寸以及在伪栅极结构去除后被刻蚀而具有缩小的第二关键尺寸。本发明还公开了一种鳍式晶体管的制造方法。本发明能同时改善短沟道效应和改善嵌入式外延层的工艺结构质量以及降低源漏区的引出电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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