[发明专利]一种可永久性自毁的ATD电路模块在审
| 申请号： | 202110149934.1 | 申请日： | 2021-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN114863987A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 苏泽鑫;李博;宿晓慧;王磊;卜建辉;赵发展;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C29/38 | 分类号： | G11C29/38;G11C29/42 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人： | 窦艳鹏 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种可永久性自毁的ATD电路模块，属于芯片数据安全技术领域。ATD电路模块集成于SRAM芯片内部，包括异常检测单元、升压供能单元和ATD逻辑单元。其中，异常检测单元用于检测SRAM芯片受到的威胁操作；升压供能单元作为异常检测单元和ATD逻辑单元的备份电源，并为ATD逻辑单元提供高电压信号；ATD逻辑单元含有电子熔断器，能在接收到高电压信号后熔断，使ATD逻辑单元彻底丧失工作能力。本发明能够在检测到SRAM遭受威胁操作后，对SRAM芯片进行永久性自毁，提高SRAM内部数据的安全性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 永久性 自毁 atd 电路 模块 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110149934.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于虚拟控制的云服务器管理系统及方法
- 下一篇：集成电路闩锁测试结构
