[发明专利]一种可永久性自毁的ATD电路模块

权利要求书

1.一种可永久性自毁的ATD电路模块，其特征在于，包括：异常检测单元、升压供能单元和ATD逻辑单元；其中，

所述异常检测单元，在检测到SRAM芯片受到攻击时的异常信号后，向所述升压供能单元提供使能信号；

所述升压供能单元，为所述异常检测模块和ATD逻辑模块提供备用电源，在接收到所述使能信号后，输出高电压信号至所述ATD逻辑模块；

所述ATD逻辑单元，用于产生ATD数字脉冲信号，其在接收到所述高电压信号后，令所述ATD数字脉冲信号失效。

2.根据权利要求1所述的一种可永久性自毁的ATD电路模块，其特征在于，所述异常信号包括芯片内部异常的电压波动、电流波动、温度波动和/或访问信号波动。

3.根据权利要求2所述的一种可永久性自毁的ATD电路模块，其特征在于，所述升压供能单元包括电荷泵，该电荷泵用于产生所述高电压信号。

4.根据权利要求3所述的一种可永久性自毁的ATD电路模块，其特征在于，所述升压供能单元包括电容，所述电容与电源端口电连接，所述电容作为异常检测单元和ATD逻辑单元的所述备用电源。

5.根据权利要求4所述的一种可永久性自毁的ATD电路模块，其特征在于，所述令ATD数字脉冲信号失效包括令ATD数字脉冲信号的脉宽变窄、消失或为固定电平。

6.根据权利要求5所述的一种可永久性自毁的ATD电路模块，其特征在于，所述ATD逻辑单元包括电子熔断器、弱上拉电路和至少一个强下拉电路；其中，所述电子熔断器位于所述弱上拉电路和所述至少一个强下拉电路之间，或者，所述电子熔断器位于所述ATD数字脉冲信号的产生与输出端。

7.根据权利要求6所述的一种可永久性自毁的ATD电路模块，其特征在于，所述弱上拉电路为PMOS晶体管电路；所述PMOS晶体管的栅极与片选信号连接，所述片选信号连接SRAM芯片内部的读写逻辑控制电路；所述PMOS晶体管的源极接电源；所述PMOS晶体管的漏极连接电子熔断器的第一端或所述强下拉电路的公共源极。

8.根据权利要求7所述的一种可永久性自毁的ATD电路模块，其特征在于，所述强下拉电路为多个NMOS晶体管电路；所述多个NMOS晶体管的栅极分别连接SRAM芯片内部的地址信号线；所述多个NMOS晶体管的公共漏极接地；所述多个NMOS晶体管的公共源极连接电子熔断器的第二端或所述PMOS晶体管的漏极。

9.根据权利要求8所述的一种可永久性自毁的ATD电路模块，其特征在于，所述电子熔断器还具有用于接收所述高电压信号的第三端。

10.一种含有权利要求1-9任意一项所述的可永久性自毁的ATD电路模块的SRAM芯片。