[发明专利]一种膜层生长方法及设备

摘要

本申请实施例提供了一种膜层生长方法及设备，可以按照设定方式将反应气体通入反应腔，反应腔内放置有待处理衬底，设定方式可以包括，在第一阶段控制反应气体以第一气体分压通入反应腔内，在第二阶段控制反应气体以第二气体分压通入反应腔内以进行膜层生长，第二阶段在第一阶段之后，第一气体分压大于第二气体分压，这样，较高的第一气体分压，可以使更多的反应气体到达待处理衬底，即使待处理衬底具有凹陷结构，也可以使更多的反应气体到达凹陷结构的底部，提高凹陷结构底部的膜层质量，提高膜层的台阶覆盖率，同时膜层生长的第二阶段可以保证反应腔中合适的压强和合适的膜层生长速率，提高膜层质量。