[发明专利]一种膜层生长方法及设备

权利要求书

1.一种膜层生长方法，其特征在于，包括：

按设定方式将反应气体通入反应腔，所述反应腔内放置有待处理衬底，其中，所述设定方式包括：

在第一阶段控制反应气体以第一气体分压通入反应腔内；

在第二阶段控制所述反应气体以第二气体分压通入所述反应腔内以进行膜层生长；所述第二阶段在所述第一阶段之后，所述第一气体分压大于所述第二气体分压。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反应腔为原子层沉积腔，所述膜层生长为原子层沉积，所述原子层沉积过程的不同反应气体交替地通入所述反应腔内以周期性地成膜生长；其中，每个成膜周期内通入的不同反应气体中的至少一种按照上述设定方式通入所述反应腔。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述待处理衬底包括凹陷结构，所述凹陷结构为存储器件中的沟道孔，所述每个成膜周期中依次向反应腔通入第一气体和第二气体，所述第一气体为六氯乙硅烷，所述第二气体为含氮的反应气体或含氧的反应气体。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述反应腔中的温度范围为550-670℃。

5.根据权利要求1-4任意一项所述方法，其特征在于，

在所述第一阶段和所述第二阶段均通过同一进气管路将所述反应气体通入所述反应腔，所述进气管路上设置有控制阀；

在所述在第一阶段控制反应气体以第一气体分压通入反应腔内之前包括，关闭所述控制阀持续预设时长以升高所述进气管路中的反应气体的气压；所述预设时长内所述进气管路中有反应气体通入；

所述在第一阶段控制反应气体以第一气体分压通入反应腔内、在第二阶段控制反应气体以第二气体分压通入所述反应腔内，包括：打开所述控制阀，以使所述反应气体通入所述反应腔内的气体分压由第一气体分压逐渐减小至第二气体分压。

6.根据权利要求1-4任意一项所述的方法，其特征在于，在所述第一阶段通过第一管路将所述反应气体通入所述反应腔，在所述第二阶段通过第二管路将所述反应气体通入所述反应腔；所述第一管路中的反应气体的气体分压大于所述第二管路中的反应气体的气体分压。

7.根据权利要求1-4任意一项所述的方法，其特征在于，所述第一气体分压与所述第二气体分压的比值小于或等于4。

8.根据权利要求1-4任意一项所述的方法，其特征在于，所述第一阶段的时长范围为1-30秒，所述第二阶段的时长范围为60-300秒。

9.一种薄膜生长设备，其特征在于，包括：

反应腔，所述反应腔用于放置待处理衬底；

进气管路，用于向所述反应腔通入反应气体；

出气管路，用于流出所述反应腔中的反应气体；

控制器，所述控制器用于控制所述进气管路的反应气体的气体分压，以执行如权利要求1-8任意一项所述的膜层生长方法。

10.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，所述反应气体通过同一进气管路通入所述反应腔，所述控制器设置于所述进气管路上，所述控制器包括控制阀和控制电路；

所述控制电路用于调整所述控制阀的开度，以调整所述进气管路流通的反应气体的流速，从而控制所述反应气体以第一气体分压和第二气体分压通入所述反应腔内。

11.根据权利要求10所述的设备，其特征在于，所述控制电路调整所述控制阀的开度，包括：

所述控制电路控制所述进气管路的控制阀的开度为零并持续预设时间，以提高所述进气管路中的气压；所述预设时长内所述进气管路中有反应气体通入；

控制所述进气管路的控制阀的开度增大，以使所述反应气体通入所述反应腔内的气体分压由第一气体分压逐渐减小至第二气体分压。

12.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，所述进气管路包括第一管路和第二管路，所述第一阶段通过第一管路将所述反应气体通入所述反应腔，第二阶段通过第二管路将所述反应气体通入所述反应腔；所述第一管路中的反应气体的气体分压为第一气体分压，所述第二管路中的反应气体的气体分压为第二气体分压。