[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202110140939.8 | 申请日： | 2021-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN114843173A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 余桥 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供基底，包括中央区域以及环绕中央区域的晶边区域，基底上形成有抗反射涂层；在中央区域形成覆盖基底的保护层，保护层露出晶边区域的抗反射涂层；去除保护层露出的抗反射涂层；去除保护层露出的抗反射涂层后，去除保护层以及中央区域的剩余抗反射涂层。在基底上形成抗反射涂层的过程中，容易出现位于晶边区域的抗反射涂层厚度大于位于中央区域的抗反射涂层厚度的问题，去除晶边区域的抗反射涂层的难度较大，因此，在基底上形成保护层，保护层覆盖基底，有利于在将晶边区域的抗反射涂层去除的同时，保护基底，减少中央区域的基底受到损伤的概率，进而有利于提高半导体结构的工作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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