[发明专利]静电放电保护装置及其操作方法

摘要

本发明公开了一种静电放电保护装置及其操作方法，其中，静电放电保护装置包括半导体衬底、第一阱区、第二阱区、第三阱区、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区以及第四掺杂区。第一阱区、第二阱区及第三阱区位于半导体衬底之中，且第三阱区直接耦接于第一阱区及第二阱区之间。第一阱区及第二阱区具有第一电性，第三阱区具有第二电性。第一掺杂区具有第一电性，位于第一阱区之中。第二掺杂区具有第二电性，位于第三阱区之中，且第一掺杂区与第二掺杂区彼此隔离。第三掺杂区及第四掺杂区分别具有第一电性及第二电性，且位于第二阱区之中彼此隔离，第二掺杂区与第三掺杂区电性耦接。第一阱区、第二阱区、第三阱区及第四掺杂区形成一寄生硅控整流器。