[发明专利]静电放电保护装置及其操作方法

权利要求书

1.一种静电放电保护装置，其中，包括：

一半导体衬底；

一第一阱区，具有一第一电性；

一第二阱区，具有该第一电性；

一第三阱区，具有一第二电性，且该第一阱区、该第二阱区及该第三阱区位于该半导体衬底之中，该第三阱区直接耦接于该第一阱区及该第二阱区之间；

一第一掺杂区，具有该第一电性，且位于该第一阱区之中；

一第二掺杂区，具有该第二电性，位于该第三阱区之中，且该第一掺杂区与该第二掺杂区彼此隔离；

一第三掺杂区，具有该第一电性，位于该第二阱区之中，其中该第二掺杂区与该第三掺杂区电性耦接；以及

一第四掺杂区，具有该第二电性，位于该第二阱区之中与该第三掺杂区彼此隔离；

其中，该第一阱区、该第二阱区、该第三阱区及该第四掺杂区形成一寄生硅控整流器。

2.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其中，该第一掺杂区为该寄生硅控整流器的一阳极，该第四掺杂区为该寄生硅控整流器的一阴极。

3.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其中，该寄生硅控整流器包括由该第一阱区、该第三阱区及该第二阱区形成的一PNP双极晶体管寄生电路以及由该第三阱区、该第二阱区及该第四掺杂区形成的一NPN双极晶体管寄生电路。

4.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其中，该第一阱区及该第三阱区彼此直接连接且接触以形成一二极管，该第二阱区及该第四掺杂区彼此直接连接且接触以形成另一二极管，该二个二极管形成一二极管串。

5.根据权利要求4所述的静电放电保护装置，其中，该寄生硅控整流器与该二极管串并联连接。

6.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其中，该第一掺杂区的一部分位于该第一阱区中，该第一掺杂区的另一部分位于该第三阱区。

7.根据权利要求6所述的静电放电保护装置，其中，该第一阱区、该第二阱区、该第三阱区及该第四掺杂区构成该寄生硅控整流器的一第一分路，该第一掺杂区、该第三阱区、该第二阱区及该第四掺杂区构成该寄生硅控整流器的一第二分路，该第一分路与该第二分路并联连接。

8.根据权利要求6所述的静电放电保护装置，其中，该第一阱区及该第三阱区耦接而形成一二极管，且该第一掺杂区及该第三阱区耦接而形成另一二极管，该两个二极管并联连接，且该寄生硅控整流器与该两个二极管并联连接。

9.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其中，该第二掺杂区与该第三掺杂区彼此直接连接而形成一接面。

10.一种静电放电保护装置的操作方法，其中，包括：

提供一静电放电保护装置，该静电放电保护装置与一内部电路电性连接，该静电放电保护装置包括一寄生硅控整流器与一二极管串彼此相连；以及

当一静电放电应力施加于该内部电路时，通过该静电放电保护装置将静电放电电流由一焊垫导入另一焊垫。