[发明专利]一种碳化硅二极管的耐高温封装方法有效
| 申请号： | 202110139398.7 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN113035723B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 黄景扬 | 申请（专利权）人： | 先之科半导体科技（东莞）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/488;H01L23/367;H01L23/373;H01L29/861 |
| 代理公司： | 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400 | 代理人： | 姜华 |
| 地址： | 523430 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明系提供一种碳化硅二极管的耐高温封装方法，包括以下步骤：在引脚框架的表面镀防腐导电材料；在陶瓷板上扣合导电层成型模具；先向环形槽中注入导热硅胶，再向中心孔中注入导电银胶；撤去导电层成型模具，将第一导线放置到导热硅胶和导电银胶上；贴芯片，导热硅胶和导电银胶被压扁；在芯片的顶部涂布导电材料，将第二导线压入；固化；第一引脚与第一引脚键合，第二引脚与第二引脚键合；塑封。本发明将热超声焊接的作用区域远离芯片设置，同时能够有效保护芯片免受高温的影响，位于芯片下方的第一导电层包括导电银胶层以及围绕于其四周的导热硅胶层，能有效避免芯片顶部点胶接线的过程中因导电材料的溢流而发生短路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 二极管 耐高温 封装 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于先之科半导体科技（东莞）有限公司，未经先之科半导体科技（东莞）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110139398.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种封装有集成电路的场效应晶体管
- 下一篇：一种基于磁场线圈的电流互感器结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
