[发明专利]一种封装有集成电路的场效应晶体管在审
| 申请号： | 202110139393.4 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN113035861A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 柴力 | 申请（专利权）人： | 中之半导体科技（东莞）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/78;H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400 | 代理人： | 姜华 |
| 地址： | 523430 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明系提供一种封装有集成电路的场效应晶体管，N型基板的两侧设有N型主体和漏极金属层，N型主体一侧设有源极金属层；N型主体的顶部设有间隔的第一P型掺杂区和第二P型掺杂区，第一P型掺杂区的顶部设有第一N型掺杂区，第二P型掺杂区的顶部设有第二N型掺杂区，N型主体的顶部还设有若干P型注入区；源极金属层的底部设有第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层上设有第一栅极层，第二绝缘层上设有第二栅极层，第一栅极层外设有第一介电区，第二栅极层外设有第二介电区，第一介电区和第二介电区之间的源极金属层与N型主体之间形成肖特基接触。本发明将肖特基二极管集成到场效应晶体管中，开启电压低、阻抗低、损耗低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 装有 集成电路 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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