[发明专利]一种封装有集成电路的场效应晶体管

说明书

本发明系提供一种封装有集成电路的场效应晶体管，N型基板的两侧设有N型主体和漏极金属层，N型主体一侧设有源极金属层；N型主体的顶部设有间隔的第一P型掺杂区和第二P型掺杂区，第一P型掺杂区的顶部设有第一N型掺杂区，第二P型掺杂区的顶部设有第二N型掺杂区，N型主体的顶部还设有若干P型注入区；源极金属层的底部设有第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层上设有第一栅极层，第二绝缘层上设有第二栅极层，第一栅极层外设有第一介电区，第二栅极层外设有第二介电区，第一介电区和第二介电区之间的源极金属层与N型主体之间形成肖特基接触。本发明将肖特基二极管集成到场效应晶体管中，开启电压低、阻抗低、损耗低。

技术领域

本发明涉及场效应晶体管，具体公开了一种封装有集成电路的场效应晶体管。

背景技术

场效应晶体管是一种由电压控制的半导体器件，具有噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿、安全工作区域宽等优点。

场效应晶体管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，场效应晶体管并联肖特基二极管后，能够有效改善场效应晶体管的交频特性等性能，现有技术中组合使用场效应晶体管和肖特基二极管，通常是采用两个单独的晶片通过导线在电路中并联使用，占用空间大，使用操作繁琐。

发明内容

基于此，有必要针对现有技术问题，提供一种封装有集成电路的场效应晶体管，具备场效应晶体管并联肖特基二极管的并联性能，整体结构稳定可靠，占用空间小。

为解决现有技术问题，本发明公开一种封装有集成电路的场效应晶体管，包括N型基板，N型基板的上下两侧分别设有N型主体和漏极金属层，N型主体远离漏极金属层的一侧设有源极金属层；

N型主体的顶部设有间隔的第一P型掺杂区和第二P型掺杂区，第一P型掺杂区和第二P型掺杂区均向N型主体的内部延伸，第一P型掺杂区的顶部设有第一N型掺杂区，第一N型掺杂区向第一P型掺杂区的内部延伸，第二P型掺杂区的顶部设有第二N型掺杂区，第二N型掺杂区向第二P型掺杂区的内部延伸，N型主体的顶部还设有若干位于第一P型掺杂区和第二P型掺杂区之间的P型注入区，P型注入区向N型主体的内部延伸，第一P型掺杂区、第二P型掺杂区、第一N型掺杂区、第二N型掺杂区和P型注入区的顶面均贯穿N型主体的顶面；

源极金属层的底部设有间隔的第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层上设有第一栅极层，第二绝缘层上设有第二栅极层，第一绝缘层和第一栅极层外设有第一介电区，第二绝缘层和第二栅极层外设有第二介电区，第一介电区和第二介电区均向源极金属层内部延伸，第一介电区和第二介电区之间形成有间隙，第一介电区和第二介电区连接于P型注入区的顶部两端，间隙中的源极金属层与间隙下方的N型主体之间形成肖特基接触。

进一步的，第一N型掺杂区的顶部设有第一P型富集区，第二N型掺杂区的顶部设有第二P型富集区，第一P型富集区向第一N型掺杂区的内部延伸至第一P型掺杂区中，第二P型富集区向第二N型掺杂区的内部延伸至第二P型掺杂区中。

进一步的，N型基板为碳化硅衬底，N型主体为碳化硅外延层。

进一步的，漏极金属层和源极金属层均为铝层。

进一步的，第一P型掺杂区、第二P型掺杂区和P型注入区均为铝的P型掺杂层。

进一步的，第一N型掺杂区和第二N型掺杂区均为氮的N型掺杂层或磷的N型掺杂层。

进一步的，第一绝缘层和第二绝缘层均为二氧化硅层。

进一步的，第一栅极层和第二栅极层均为多晶硅层。

进一步的，第一介电区和第二介电区均为二氧化硅层。